Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonDauer-Kollektorstrom max.
53 A
Kollektor-Emitter-
600 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
200 W
Počet tranzistorů
1
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Rychlost spínání
30kHz
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Kapacitance hradla
1050pF
Maximální pracovní teplota
175 °C
Jmenovitá energie
1.13mJ
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 600 a 650
Řada IGBT tranzistorů od Infineon s napěťovým stupněním sběračů 600 a 650 V vybavených technologií TrenchStop™. Tato řada zahrnuje zařízení s integrovanou antiparalelní diodou pro vysokou rychlost obnovy.
Rozsah napětí kolektoru-emitoru 600 až 650 V.
Velmi nízký VCEsat
Nízké ztráty při vypnutí
Krátký proud zadních výklopných dveří
Nízká EMI
Maximální teplota spoje 175 °C.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,52
Each (In a Tube of 240) (bez DPH)
240
€ 1,52
Each (In a Tube of 240) (bez DPH)
240
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
240 - 240 | € 1,52 | € 364,80 |
480 - 480 | € 1,44 | € 345,60 |
720+ | € 1,35 | € 324,00 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonDauer-Kollektorstrom max.
53 A
Kollektor-Emitter-
600 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
200 W
Počet tranzistorů
1
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Rychlost spínání
30kHz
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Kapacitance hradla
1050pF
Maximální pracovní teplota
175 °C
Jmenovitá energie
1.13mJ
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 600 a 650
Řada IGBT tranzistorů od Infineon s napěťovým stupněním sběračů 600 a 650 V vybavených technologií TrenchStop™. Tato řada zahrnuje zařízení s integrovanou antiparalelní diodou pro vysokou rychlost obnovy.
Rozsah napětí kolektoru-emitoru 600 až 650 V.
Velmi nízký VCEsat
Nízké ztráty při vypnutí
Krátký proud zadních výklopných dveří
Nízká EMI
Maximální teplota spoje 175 °C.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.