DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

IGBT IKW50N65WR5XKSA1 N-kanálový 80 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 60kHz 1 Jednoduchý

Skladové číslo RS: 144-1185Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IKW50N65WR5XKSA1
brand-logo
View all in IGBTs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Dauer-Kollektorstrom max.

80 A

Kollektor-Emitter-

650 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

282 W

Počet tranzistorů

1

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

Through Hole

Typ kanálu

N

Pinanzahl

3

Rychlost spínání

60kHz

Konfigurace tranzistoru

Single

Abmessungen

16.13 x 5.21 x 21.1mm

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Kapacitance hradla

6140pF

Betriebstemperatur max.

175 °C

Jmenovitá energie

1.06mJ

Podrobnosti o výrobku

Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 600 a 650

Řada IGBT tranzistorů od Infineon s napěťovým stupněním sběračů 600 a 650 V vybavených technologií TrenchStop™. Tato řada zahrnuje zařízení s integrovanou antiparalelní diodou pro vysokou rychlost obnovy.

• Rozsah napětí kolektoru-emitoru 600 až 650 V.
• Velmi nízký VCEsat
• Nízké ztráty při vypnutí
• Krátký proud zadních výklopných dveří
• Nízká EMI
• Maximální teplota spoje 175 °C.

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

IGBT IKW50N65WR5XKSA1 N-kanálový 80 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 60kHz 1 Jednoduchý

P.O.A.

IGBT IKW50N65WR5XKSA1 N-kanálový 80 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 60kHz 1 Jednoduchý
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Dauer-Kollektorstrom max.

80 A

Kollektor-Emitter-

650 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

282 W

Počet tranzistorů

1

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

Through Hole

Typ kanálu

N

Pinanzahl

3

Rychlost spínání

60kHz

Konfigurace tranzistoru

Single

Abmessungen

16.13 x 5.21 x 21.1mm

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Kapacitance hradla

6140pF

Betriebstemperatur max.

175 °C

Jmenovitá energie

1.06mJ

Podrobnosti o výrobku

Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 600 a 650

Řada IGBT tranzistorů od Infineon s napěťovým stupněním sběračů 600 a 650 V vybavených technologií TrenchStop™. Tato řada zahrnuje zařízení s integrovanou antiparalelní diodou pro vysokou rychlost obnovy.

• Rozsah napětí kolektoru-emitoru 600 až 650 V.
• Velmi nízký VCEsat
• Nízké ztráty při vypnutí
• Krátký proud zadních výklopných dveří
• Nízká EMI
• Maximální teplota spoje 175 °C.

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.