Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
23,8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
160 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Maximální ztrátový výkon
176 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
4.57mm
Počet prvků na čip
1
Länge
10.31mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
44 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Höhe
9.45mm
Řada
CoolMOS P6
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
0.9V
Podrobnosti o výrobku
Infineon CoolMOS™E6/P6 - výkonový MOSFET
Řada Infineon MOSFET řady CoolMOS ™ E6 a P6. Tato vysoce účinná zařízení lze používat v několika aplikacích, včetně korekce účiníku (PFC), osvětlení a spotřebního zařízení a také v solárních, telekomunikačních a serverech.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 3,487
Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
2
€ 3,487
Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
2
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
2 - 8 | € 3,487 | € 6,97 |
10 - 98 | € 2,966 | € 5,93 |
100 - 498 | € 2,557 | € 5,11 |
500 - 998 | € 2,171 | € 4,34 |
1000+ | € 2,001 | € 4,00 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
23,8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
160 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Maximální ztrátový výkon
176 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
4.57mm
Počet prvků na čip
1
Länge
10.31mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
44 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Höhe
9.45mm
Řada
CoolMOS P6
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
0.9V
Podrobnosti o výrobku
Infineon CoolMOS™E6/P6 - výkonový MOSFET
Řada Infineon MOSFET řady CoolMOS ™ E6 a P6. Tato vysoce účinná zařízení lze používat v několika aplikacích, včetně korekce účiníku (PFC), osvětlení a spotřebního zařízení a také v solárních, telekomunikačních a serverech.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.