DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

řada: OptiMOS3MOSFET IPD090N03LGATMA1 N-kanálový 40 A 30 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3

Skladové číslo RS: 130-0895Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IPD090N03LGATMA1
brand-logo
View all in MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

40 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

13,5 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.2V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

42 W

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

6.22mm

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

175 °C

Länge

6.73mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

9,6 nC při 4,5 V

Höhe

2.41mm

Řada

OptiMOS3

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.1V

Podrobnosti o výrobku

Infineon OptiMOS™3 - výkonové MOSFET, až 40 V.

Produkty OptiMOS™ jsou k dispozici ve vysoce výkonných balíčcích, které se zabývají nejnáročnějšími aplikacemi a poskytují plnou flexibilitu v omezených prostorách. Tyto produkty Infineon jsou navrženy tak, aby splňovaly požadavky na energetickou účinnost a hustotu energie na základě naostřených standardů nové generace pro regulaci napětí v počítačových aplikacích.

Rychle přepínaný MOSFET pro SMPS
Optimalizovaná technologie pro měniče DC/DC
Kvalifikováno podle JEDEC1) pro cílové aplikace
N-kanál, logická úroveň
Vynikající náboj řídicí elektrody x součin R DS(on) (FOM)
Velice nízký spínací odpor R DS(on)
Povrchová vrstva bez obsahu olova

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

řada: OptiMOS3MOSFET IPD090N03LGATMA1 N-kanálový 40 A 30 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3

P.O.A.

řada: OptiMOS3MOSFET IPD090N03LGATMA1 N-kanálový 40 A 30 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

40 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

13,5 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.2V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

42 W

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

6.22mm

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

175 °C

Länge

6.73mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

9,6 nC při 4,5 V

Höhe

2.41mm

Řada

OptiMOS3

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.1V

Podrobnosti o výrobku

Infineon OptiMOS™3 - výkonové MOSFET, až 40 V.

Produkty OptiMOS™ jsou k dispozici ve vysoce výkonných balíčcích, které se zabývají nejnáročnějšími aplikacemi a poskytují plnou flexibilitu v omezených prostorách. Tyto produkty Infineon jsou navrženy tak, aby splňovaly požadavky na energetickou účinnost a hustotu energie na základě naostřených standardů nové generace pro regulaci napětí v počítačových aplikacích.

Rychle přepínaný MOSFET pro SMPS
Optimalizovaná technologie pro měniče DC/DC
Kvalifikováno podle JEDEC1) pro cílové aplikace
N-kanál, logická úroveň
Vynikající náboj řídicí elektrody x součin R DS(on) (FOM)
Velice nízký spínací odpor R DS(on)
Povrchová vrstva bez obsahu olova

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.