řada: CoolMOS CEMOSFET IPD50R280CEAUMA1 N-kanálový 18,1 A 550 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
18,1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
550 V
Řada
CoolMOS CE
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
280 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
119 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
6.22mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
32,6 nC při 10 V
Höhe
2.41mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
0.85V
Podrobnosti o výrobku
Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
18,1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
550 V
Řada
CoolMOS CE
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
280 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
119 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
6.22mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
32,6 nC při 10 V
Höhe
2.41mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
0.85V
Podrobnosti o výrobku
Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products