Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
8 A
Kollektor-Emitter-
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
750
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
2.5 V
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
2 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
0.2mA
Höhe
9.28mm
Breite
4.82mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Abmessungen
10.28 x 4.82 x 9.28mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.28mm
Krajina pôvodu
Czech Republic
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
8 A
Kollektor-Emitter-
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
750
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
2.5 V
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
2 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
0.2mA
Höhe
9.28mm
Breite
4.82mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Abmessungen
10.28 x 4.82 x 9.28mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.28mm
Krajina pôvodu
Czech Republic
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.