onsemi FGB40T65SPD_F085 IGBT, 40 A 650 V, 2+Tab-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorMaximální stejnosměrný proud kolektoru
40 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
650 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
267 W
Počet tranzistorů
1
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Typ kanálu
N
Pinanzahl
2+Tab
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
10.67 x 9.65 x 4.83mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Kapacitance hradla
1520pF
Maximální pracovní teplota
175 °C
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
Automobilový Fairchild Semiconductor
Řada IGBT se Field Stop Trench od společnosti Fairchild Semiconductor, která byla testována na stres a splňuje standard AEC-Q101.
Charakteristiky
• Pro snadnou paralelní funkci je vhodná účinnost při mírné teplotě
• Vysoce proudová schopnost
• Nízké napětí saturace
• Vysoká vstupní impedance
• Utažení distribuce parametrů
Kódy RS
864-8792 FGB20N60SFD_F085 IGBT 600V 20A D2PAK-2
864-8852 FGH40N60SMD_F085 IGBT 600V 40A až247
864-8877 FGH60N60SMD_F085 IGBT 600V 60A až247
135-8687 FGB40T65SPD_F085 IGBT 650V 40A TO263
135-8663 FGB40T65SPD_F085 IGBT 650V 40A až263 (balení po 800)
864-8871 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650V 75A AŽ247
124-1447 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650V 75A až247 (balení po 30)
Standards
AEC-Q101
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorMaximální stejnosměrný proud kolektoru
40 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
650 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
267 W
Počet tranzistorů
1
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Typ kanálu
N
Pinanzahl
2+Tab
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
10.67 x 9.65 x 4.83mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Kapacitance hradla
1520pF
Maximální pracovní teplota
175 °C
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
Automobilový Fairchild Semiconductor
Řada IGBT se Field Stop Trench od společnosti Fairchild Semiconductor, která byla testována na stres a splňuje standard AEC-Q101.
Charakteristiky
• Pro snadnou paralelní funkci je vhodná účinnost při mírné teplotě
• Vysoce proudová schopnost
• Nízké napětí saturace
• Vysoká vstupní impedance
• Utažení distribuce parametrů
Kódy RS
864-8792 FGB20N60SFD_F085 IGBT 600V 20A D2PAK-2
864-8852 FGH40N60SMD_F085 IGBT 600V 40A až247
864-8877 FGH60N60SMD_F085 IGBT 600V 60A až247
135-8687 FGB40T65SPD_F085 IGBT 650V 40A TO263
135-8663 FGB40T65SPD_F085 IGBT 650V 40A až263 (balení po 800)
864-8871 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650V 75A AŽ247
124-1447 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650V 75A až247 (balení po 30)
Standards
AEC-Q101
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products