onsemi FGB40T65SPD-F085, P-Channel IGBT, 80 A 650 V, 2+Tab-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount

Name: onsemi FGB40T65SPD-F085, P-Channel IGBT, 80 A 650 V, 2+Tab-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1358663

Skladové číslo RS: 135-8663Značka: ON SemiconductorČíslo dielu výrobcu: FGB40T65SPD-F085

View all in IGBTs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

ON Semiconductor

Dauer-Kollektorstrom max.

80 A

Kollektor-Emitter-

650 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

267 W

Počet tranzistorů

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

Surface Mount

Typ kanálu

Pinanzahl

2+Tab

Konfigurace tranzistoru

Single

Abmessungen

10.67 x 9.65 x 4.83mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Kapacitance hradla

1520pF

Betriebstemperatur max.

175 °C

Automobilový standard

AEC-Q101

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

onsemi FGB40T65SPD-F085, P-Channel IGBT, 80 A 650 V, 2+Tab-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount

800

P.O.A.

onsemi FGB40T65SPD-F085, P-Channel IGBT, 80 A 650 V, 2+Tab-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

800

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
View and contribute website content and forums
Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products

Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

ON Semiconductor

Dauer-Kollektorstrom max.

80 A

Kollektor-Emitter-

650 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

267 W

Počet tranzistorů

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

Surface Mount

Typ kanálu

Pinanzahl

2+Tab

Konfigurace tranzistoru

Single

Abmessungen

10.67 x 9.65 x 4.83mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Kapacitance hradla

1520pF

Betriebstemperatur max.

175 °C

Automobilový standard

AEC-Q101