DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

IGBT NGTB40N120S3W N-kanálový 160 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 1 Jednoduchý

Skladové číslo RS: 134-9557Značka: onsemiČíslo dielu výrobcu: NGTB40N120S3WG
brand-logo
View all in IGBTs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Dauer-Kollektorstrom max.

160 A

Kollektor-Emitter-

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±30V

Maximální ztrátový výkon

454 W

Počet tranzistorů

1

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

Through Hole

Typ kanálu

N

Pinanzahl

3

Konfigurace tranzistoru

Single

Abmessungen

16.25 x 5.3 x 21.34mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Kapacitance hradla

4912pF

Betriebstemperatur max.

175 °C

Podrobnosti o výrobku

IGBT Discretes, ON Semiconductor

Izolované bipolární tranzistory hradla (IGBT) pro pohon motoru a další aplikace s vysokoproudovým spínáním.

IGBT Discretes, ON Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

IGBT NGTB40N120S3W N-kanálový 160 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 1 Jednoduchý
Vyberte typ balenia

P.O.A.

IGBT NGTB40N120S3W N-kanálový 160 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 1 Jednoduchý
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Dauer-Kollektorstrom max.

160 A

Kollektor-Emitter-

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±30V

Maximální ztrátový výkon

454 W

Počet tranzistorů

1

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

Through Hole

Typ kanálu

N

Pinanzahl

3

Konfigurace tranzistoru

Single

Abmessungen

16.25 x 5.3 x 21.34mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Kapacitance hradla

4912pF

Betriebstemperatur max.

175 °C

Podrobnosti o výrobku

IGBT Discretes, ON Semiconductor

Izolované bipolární tranzistory hradla (IGBT) pro pohon motoru a další aplikace s vysokoproudovým spínáním.

IGBT Discretes, ON Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.