řada: NTMFS5C410NMOSFET NTMFS5C410NTG N-kanálový 300 A 40 V, DFN, počet kolíků: 4 + Tab
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
300 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
DFN
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
4 + Tab
Maximální odpor kolektor/zdroj
920 μΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
166 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.1mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
6.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
86 nC při 10 V
Höhe
1.05mm
Řada
NTMFS5C410N
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 40 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
300 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
DFN
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
4 + Tab
Maximální odpor kolektor/zdroj
920 μΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
166 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.1mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
6.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
86 nC při 10 V
Höhe
1.05mm
Řada
NTMFS5C410N
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 40 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products