DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

standard: AEC-Q101, řada: NVD5C434NMOSFET NVD5C434N N-kanálový 163 A 40 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý

Skladové číslo RS: 141-2078Značka: onsemiČíslo dielu výrobcu: NVD5C434NT4G
brand-logo
View all in MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

163 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

40 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

2.1 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

117 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

±20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

80,6 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

175 °C

Länge

6.73mm

Breite

6.22mm

Počet prvků na čip

1

Řada

NVD5C434N

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.2V

Automobilový standard

AEC-Q101

Höhe

2.38mm

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkonový MOSFET, 40 V, on Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 1,545

Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)

standard: AEC-Q101, řada: NVD5C434NMOSFET NVD5C434N N-kanálový 163 A 40 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý

€ 1,545

Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)

standard: AEC-Q101, řada: NVD5C434NMOSFET NVD5C434N N-kanálový 163 A 40 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

163 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

40 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

2.1 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

117 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

±20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

80,6 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

175 °C

Länge

6.73mm

Breite

6.22mm

Počet prvků na čip

1

Řada

NVD5C434N

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.2V

Automobilový standard

AEC-Q101

Höhe

2.38mm

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkonový MOSFET, 40 V, on Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor