Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
38 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Řada
NVD5C684NL
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
24.3 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
27 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
9,6 nC při 10 V
Breite
6.22mm
Počet prvků na čip
1
Propustné napětí diody
1.2V
Automobilový standard
AEC-Q101
Höhe
2.38mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 60 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,68
Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 0,68
Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
38 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Řada
NVD5C684NL
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
24.3 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
27 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
9,6 nC při 10 V
Breite
6.22mm
Počet prvků na čip
1
Propustné napětí diody
1.2V
Automobilový standard
AEC-Q101
Höhe
2.38mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku