Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
38 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
24.3 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
27 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Breite
6.22mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
9,6 nC při 10 V
Höhe
2.38mm
Řada
NVD5C684NL
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 60 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,25
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
10
€ 1,25
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
10
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
10 - 90 | € 1,25 | € 12,50 |
100 - 240 | € 0,81 | € 8,10 |
250 - 490 | € 0,78 | € 7,80 |
500 - 990 | € 0,76 | € 7,60 |
1000+ | € 0,74 | € 7,40 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
38 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
24.3 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
27 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Breite
6.22mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
9,6 nC při 10 V
Höhe
2.38mm
Řada
NVD5C684NL
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku