řada: NexFETMOSFET BQ500101DPCT P-kanálový 10 A 30 V, VSON-CLIP, počet kolíků: 8 dvojitý Dvojitá základna
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
10 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
VSON-CLIP
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3.7V
Maximální ztrátový výkon
8 W
Konfigurace tranzistoru
Dvojitá základna
Breite
3.6mm
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur max.
+125 °C
Länge
4.6mm
Höhe
1mm
Řada
NexFET
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Propustné napětí diody
0.24V
Podrobnosti o výrobku
Napájecí moduly MOSFET, Texas Instruments
Blok napájení Half-Bridge NexFET
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
10 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
VSON-CLIP
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3.7V
Maximální ztrátový výkon
8 W
Konfigurace tranzistoru
Dvojitá základna
Breite
3.6mm
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur max.
+125 °C
Länge
4.6mm
Höhe
1mm
Řada
NexFET
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Propustné napětí diody
0.24V
Podrobnosti o výrobku
Napájecí moduly MOSFET, Texas Instruments
Blok napájení Half-Bridge NexFET