DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

řada: NexFETMOSFET BQ500101DPCT P-kanálový 10 A 30 V, VSON-CLIP, počet kolíků: 8 dvojitý Dvojitá základna

Skladové číslo RS: 133-0142Značka: Texas InstrumentsČíslo dielu výrobcu: BQ500101DPCT
View all in MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

10 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

VSON-CLIP

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

3.7V

Maximální ztrátový výkon

8 W

Konfigurace tranzistoru

Dvojitá základna

Breite

3.6mm

Počet prvků na čip

2

Betriebstemperatur max.

+125 °C

Länge

4.6mm

Höhe

1mm

Řada

NexFET

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Propustné napětí diody

0.24V

Podrobnosti o výrobku

Napájecí moduly MOSFET, Texas Instruments

Blok napájení Half-Bridge NexFET

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

řada: NexFETMOSFET BQ500101DPCT P-kanálový 10 A 30 V, VSON-CLIP, počet kolíků: 8 dvojitý Dvojitá základna
Vyberte typ balenia

P.O.A.

řada: NexFETMOSFET BQ500101DPCT P-kanálový 10 A 30 V, VSON-CLIP, počet kolíků: 8 dvojitý Dvojitá základna
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

10 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

VSON-CLIP

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

3.7V

Maximální ztrátový výkon

8 W

Konfigurace tranzistoru

Dvojitá základna

Breite

3.6mm

Počet prvků na čip

2

Betriebstemperatur max.

+125 °C

Länge

4.6mm

Höhe

1mm

Řada

NexFET

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Propustné napětí diody

0.24V

Podrobnosti o výrobku

Napájecí moduly MOSFET, Texas Instruments

Blok napájení Half-Bridge NexFET

MOSFET Transistors, Texas Instruments