řada: NexFETMOSFET CSD17308Q3T N-kanálový 50 A 30 V, VSON-CLIP, počet kolíků: 8 Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
50 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
VSON-CLIP
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
16.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.8V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.9V
Maximální ztrátový výkon
28 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +10 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7,4 nC
Breite
3.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1V
Řada
NexFET
Höhe
1.1mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
50 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
VSON-CLIP
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
16.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.8V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.9V
Maximální ztrátový výkon
28 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +10 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7,4 nC
Breite
3.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1V
Řada
NexFET
Höhe
1.1mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products