DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

řada: NexFETMOSFET CSD18536KTTT N-kanálový 349 A 60 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý

Skladové číslo RS: 133-0153Značka: Texas InstrumentsČíslo dielu výrobcu: CSD18536KTTT
View all in MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

349 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

2,2 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.2V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.4V

Maximální ztrátový výkon

375 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

11.33mm

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

175 °C

Länge

10.67mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

230 nC při 10 V

Höhe

4.83mm

Řada

NexFET

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1V

Podrobnosti o výrobku

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

řada: NexFETMOSFET CSD18536KTTT N-kanálový 349 A 60 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý
Vyberte typ balenia

P.O.A.

řada: NexFETMOSFET CSD18536KTTT N-kanálový 349 A 60 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

349 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

2,2 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.2V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.4V

Maximální ztrátový výkon

375 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

11.33mm

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

175 °C

Länge

10.67mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

230 nC při 10 V

Höhe

4.83mm

Řada

NexFET

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1V

Podrobnosti o výrobku

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments