řada: NexFETMOSFET CSD19537Q3T N-kanálový 53 A 100 V, VSON-CLIP, počet kolíků: 8 Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
53 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
VSON-CLIP
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
16.6 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.6V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.6V
Maximální ztrátový výkon
83 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
3.4mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
44 nC při 10 V
Höhe
1.1mm
Řada
NexFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1V
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
53 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
VSON-CLIP
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
16.6 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.6V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.6V
Maximální ztrátový výkon
83 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
3.4mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
44 nC při 10 V
Höhe
1.1mm
Řada
NexFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1V
Podrobnosti o výrobku