DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

MOSFET SiC530CD-T1-GE3 N-kanálový, PowerPAK MLP4535, počet kolíků: 22 dvojitý Si

Skladové číslo RS: 124-2250Značka: VishayČíslo dielu výrobcu: SiC530CD-T1-GE3
brand-logo
View all in MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

N

Gehäusegröße

PowerPAK MLP4535

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

22

Režim kanálu

Vylepšení

Breite

3.5mm

Počet prvků na čip

2

Betriebstemperatur max.

150 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

4.5mm

Höhe

0.75mm

Krajina pôvodu

Taiwan, Province Of China

Podrobnosti o výrobku

SIC530, 30A, integrovaný napájecí stupeň VRPower

SiC530 je integrovaný výkonový stupeň MOSFET optimalizovaný pro aplikace synchronního měniče Buck.

Tepelně zdokonalený obal PowerPAK
Advanced MOSFET gate driver je součástí balení
Vysoký výkon
Vysokofrekvenční provoz až 2 MHz
Obnovení výchozího stavu napájení
Logika PWM 5 V se třemi stavy a podřazením
Podporuje požadavky režimu PS4 na nízké zatížení pro IMVP8

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

MOSFET SiC530CD-T1-GE3 N-kanálový, PowerPAK MLP4535, počet kolíků: 22 dvojitý Si
Vyberte typ balenia

P.O.A.

MOSFET SiC530CD-T1-GE3 N-kanálový, PowerPAK MLP4535, počet kolíků: 22 dvojitý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

N

Gehäusegröße

PowerPAK MLP4535

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

22

Režim kanálu

Vylepšení

Breite

3.5mm

Počet prvků na čip

2

Betriebstemperatur max.

150 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

4.5mm

Höhe

0.75mm

Krajina pôvodu

Taiwan, Province Of China

Podrobnosti o výrobku

SIC530, 30A, integrovaný napájecí stupeň VRPower

SiC530 je integrovaný výkonový stupeň MOSFET optimalizovaný pro aplikace synchronního měniče Buck.

Tepelně zdokonalený obal PowerPAK
Advanced MOSFET gate driver je součástí balení
Vysoký výkon
Vysokofrekvenční provoz až 2 MHz
Obnovení výchozího stavu napájení
Logika PWM 5 V se třemi stavy a podřazením
Podporuje požadavky režimu PS4 na nízké zatížení pro IMVP8

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor