DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

MOSFET SUM70040E-GE3 N-kanálový 120 A 100 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 124-2248Značka: VishayČíslo dielu výrobcu: SUM70040E-GE3
brand-logo
View all in MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

120 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

4,6 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Maximální ztrátový výkon

375 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Länge

9.65mm

Breite

10.41mm

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

175 °C

Materiál tranzistoru

Si

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

76 nC při 10 V

Höhe

4.82mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.5V

Krajina pôvodu

Taiwan, Province Of China

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET N-Channel, 100 V až 150 V, Vishay

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 3,04

Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

MOSFET SUM70040E-GE3 N-kanálový 120 A 100 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 3,04

Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

MOSFET SUM70040E-GE3 N-kanálový 120 A 100 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Kúpiť hromadne

množstvoJednotková cenaBalík
5 - 45€ 3,04€ 15,20
50 - 120€ 2,249€ 11,25
125 - 245€ 2,038€ 10,19
250 - 495€ 1,823€ 9,12
500+€ 1,673€ 8,37

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

120 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

4,6 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Maximální ztrátový výkon

375 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Länge

9.65mm

Breite

10.41mm

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

175 °C

Materiál tranzistoru

Si

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

76 nC při 10 V

Höhe

4.82mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.5V

Krajina pôvodu

Taiwan, Province Of China

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET N-Channel, 100 V až 150 V, Vishay

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor