Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
120 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
4,6 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
375 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Länge
9.65mm
Breite
10.41mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
76 nC při 10 V
Höhe
4.82mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.5V
Krajina pôvodu
Taiwan, Province Of China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 100 V až 150 V, Vishay
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 3,04
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
€ 3,04
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
5 - 45 | € 3,04 | € 15,20 |
50 - 120 | € 2,249 | € 11,25 |
125 - 245 | € 2,038 | € 10,19 |
250 - 495 | € 1,823 | € 9,12 |
500+ | € 1,673 | € 8,37 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
120 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
4,6 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
375 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Länge
9.65mm
Breite
10.41mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
76 nC při 10 V
Höhe
4.82mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.5V
Krajina pôvodu
Taiwan, Province Of China
Podrobnosti o výrobku