Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
120 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
4,6 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
375 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
76 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Breite
4.65mm
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.51mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.5V
Höhe
15.49mm
Krajina pôvodu
Taiwan, Province Of China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 100 V až 150 V, Vishay
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 2,95
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
€ 2,95
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
5 - 45 | € 2,95 | € 14,75 |
50 - 120 | € 2,18 | € 10,90 |
125 - 245 | € 1,97 | € 9,85 |
250 - 495 | € 1,77 | € 8,85 |
500+ | € 1,62 | € 8,10 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
120 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
4,6 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
375 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
76 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Breite
4.65mm
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.51mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.5V
Höhe
15.49mm
Krajina pôvodu
Taiwan, Province Of China
Podrobnosti o výrobku