Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
BournsTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
12 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
80 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
SOT-93
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
2 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
0.4mA
Maximální pracovní teplota
150 °C
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
BournsTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
12 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
80 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
SOT-93
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
2 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
0.4mA
Maximální pracovní teplota
150 °C
Betriebstemperatur min.
-65 °C