Technické dokumenty
Špecifikácie
Velikost paměti
64kbit
Organizace
8K x 8 bitů
Typ rozhraní
Sériové - I2C
Šířka datové sběrnice
8bit
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
DFN
Pinanzahl
8
Abmessungen
4 x 4.5 x 0.7mm
Maximální provozní napájecí napětí
3.65 V
Betriebstemperatur max.
85 °C
Počet slov
8K
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Minimální provozní napájecí napětí
2,7 V
Počet bitů na slovo
8bit
Krajina pôvodu
Thailand
Podrobnosti o výrobku
F-RAM, Cypress Semiconductor
Paměť F-RAM (Ferothic Random Access Memory) je energeticky úsporná a má nejvyšší spolehlivost netěkavých pamětí RAM pro sériová i paralelní rozhraní. Díly s indexem A jsou určeny pro automobilové aplikace a jsou kvalifikovány pro AEC-Q100.
Energeticky nezávislá paměť RAM
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
2
P.O.A.
2
Technické dokumenty
Špecifikácie
Velikost paměti
64kbit
Organizace
8K x 8 bitů
Typ rozhraní
Sériové - I2C
Šířka datové sběrnice
8bit
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
DFN
Pinanzahl
8
Abmessungen
4 x 4.5 x 0.7mm
Maximální provozní napájecí napětí
3.65 V
Betriebstemperatur max.
85 °C
Počet slov
8K
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Minimální provozní napájecí napětí
2,7 V
Počet bitů na slovo
8bit
Krajina pôvodu
Thailand
Podrobnosti o výrobku
F-RAM, Cypress Semiconductor
Paměť F-RAM (Ferothic Random Access Memory) je energeticky úsporná a má nejvyšší spolehlivost netěkavých pamětí RAM pro sériová i paralelní rozhraní. Díly s indexem A jsou určeny pro automobilové aplikace a jsou kvalifikovány pro AEC-Q100.
Energeticky nezávislá paměť RAM
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.