Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
630 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
900 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
350 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,9 nC při 4,5 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3mm
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Höhe
1.1mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, 12 V až 28 V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,28
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
25
€ 0,28
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
25
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
25 - 125 | € 0,28 | € 7,00 |
150+ | € 0,11 | € 2,75 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
630 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
900 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
350 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,9 nC při 4,5 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3mm
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Höhe
1.1mm
Podrobnosti o výrobku