Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
14.2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
U-DFN2020
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
35 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
2,1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
2.05mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
56 nC při 10 V
Länge
2.05mm
Řada
DMN2011UFDF
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.58mm
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, 12 V až 28 V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,37
Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
20
€ 0,37
Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
20
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
14.2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
U-DFN2020
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
35 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
2,1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
2.05mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
56 nC při 10 V
Länge
2.05mm
Řada
DMN2011UFDF
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.58mm
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku