Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
900 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,2 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
40 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Breite
16.27mm
Počet prvků na čip
1
Länge
10.46mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
20,3 nC při 10 V
Höhe
4.9mm
Řada
DMN90H2D2HCTI
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, 100V až 950V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
900 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,2 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
40 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Breite
16.27mm
Počet prvků na čip
1
Länge
10.46mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
20,3 nC při 10 V
Höhe
4.9mm
Řada
DMN90H2D2HCTI
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku