Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Fuji ElectricDauer-Kollektorstrom max.
50 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
280 W
Gehäusegröße
M712
Konfiguration
3fázový můstek
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
24
Konfigurace tranzistoru
3 Phase
Abmessungen
122 x 62 x 17mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Podrobnosti o výrobku
IGBT moduly 7-Pack, Fuji Electric
Řada V
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Fuji ElectricDauer-Kollektorstrom max.
50 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
280 W
Gehäusegröße
M712
Konfiguration
3fázový můstek
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
24
Konfigurace tranzistoru
3 Phase
Abmessungen
122 x 62 x 17mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Podrobnosti o výrobku
IGBT moduly 7-Pack, Fuji Electric
Řada V
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.