Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
40 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
TSDSON
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
8,9 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
45 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
22 nC při 10 V
Breite
3.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Řada
OptiMOS 3
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.1mm
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™3 - výkonové MOSFET, až 40 V.
Produkty OptiMOS™ jsou k dispozici ve vysoce výkonných balíčcích, které se zabývají nejnáročnějšími aplikacemi a poskytují plnou flexibilitu v omezených prostorách. Tyto produkty Infineon jsou navrženy tak, aby splňovaly požadavky na energetickou účinnost a hustotu energie na základě naostřených standardů nové generace pro regulaci napětí v počítačových aplikacích.
Rychle přepínaný MOSFET pro SMPS
Optimalizovaná technologie pro měniče DC/DC
Kvalifikováno podle JEDEC1) pro cílové aplikace
N-kanál, logická úroveň
Vynikající náboj řídicí elektrody x součin R DS(on) (FOM)
Velice nízký spínací odpor R DS(on)
Povrchová vrstva bez obsahu olova
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
40 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
TSDSON
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
8,9 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
45 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
22 nC při 10 V
Breite
3.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Řada
OptiMOS 3
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.1mm
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™3 - výkonové MOSFET, až 40 V.
Produkty OptiMOS™ jsou k dispozici ve vysoce výkonných balíčcích, které se zabývají nejnáročnějšími aplikacemi a poskytují plnou flexibilitu v omezených prostorách. Tyto produkty Infineon jsou navrženy tak, aby splňovaly požadavky na energetickou účinnost a hustotu energie na základě naostřených standardů nové generace pro regulaci napětí v počítačových aplikacích.
Rychle přepínaný MOSFET pro SMPS
Optimalizovaná technologie pro měniče DC/DC
Kvalifikováno podle JEDEC1) pro cílové aplikace
N-kanál, logická úroveň
Vynikající náboj řídicí elektrody x součin R DS(on) (FOM)
Velice nízký spínací odpor R DS(on)
Povrchová vrstva bez obsahu olova
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.