Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonVelikost paměti
512kbit
Organizace
64K x 8 bitů
Typ rozhraní
Sériové - I2C
Šířka datové sběrnice
8bit
Maximální čas náhodného přístupu
450ns
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Pinanzahl
8
Abmessungen
4.97 x 3.98 x 1.47mm
Länge
4.97mm
Maximální provozní napájecí napětí
3.6 V
Breite
3.98mm
Höhe
1.47mm
Maximální pracovní teplota
+85 °C
Počet bitů na slovo
8bit
Automobilový standard
AEC-Q100
Počet slov
64K
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Minimální provozní napájecí napětí
2 V
Podrobnosti o výrobku
FRAM, Cypress Semiconductor
Paměť F-RAM (Ferothic Random Access Memory) je energeticky úsporná a má nejvyšší spolehlivost netěkavých pamětí RAM pro sériová i paralelní rozhraní. Díly s indexem A jsou určeny pro automobilové aplikace a jsou kvalifikovány pro AEC-Q100.
Energeticky nezávislá paměť RAM
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
€ 12,91
€ 12,91 Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 12,91
€ 12,91 Each (bez DPH)
Štandardný
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Množstvo | Jednotková cena |
---|---|
1 - 9 | € 12,91 |
10 - 24 | € 10,50 |
25 - 99 | € 10,25 |
100 - 499 | € 9,97 |
500+ | € 9,73 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonVelikost paměti
512kbit
Organizace
64K x 8 bitů
Typ rozhraní
Sériové - I2C
Šířka datové sběrnice
8bit
Maximální čas náhodného přístupu
450ns
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Pinanzahl
8
Abmessungen
4.97 x 3.98 x 1.47mm
Länge
4.97mm
Maximální provozní napájecí napětí
3.6 V
Breite
3.98mm
Höhe
1.47mm
Maximální pracovní teplota
+85 °C
Počet bitů na slovo
8bit
Automobilový standard
AEC-Q100
Počet slov
64K
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Minimální provozní napájecí napětí
2 V
Podrobnosti o výrobku
FRAM, Cypress Semiconductor
Paměť F-RAM (Ferothic Random Access Memory) je energeticky úsporná a má nejvyšší spolehlivost netěkavých pamětí RAM pro sériová i paralelní rozhraní. Díly s indexem A jsou určeny pro automobilové aplikace a jsou kvalifikovány pro AEC-Q100.
Energeticky nezávislá paměť RAM
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.