Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
90 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
80 V
Řada
IPD053N08N3 G
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
9.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
150 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
52 nC při 10 V
Breite
7.36mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
2.41mm
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,81
Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 0,81
Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
90 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
80 V
Řada
IPD053N08N3 G
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
9.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
150 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
52 nC při 10 V
Breite
7.36mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
2.41mm