řada: HEXFETMOSFET IRF540NLPBF N-kanálový 33 A 100 V, I2PAK (TO-262), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 907-5028Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IRF540NLPBF
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

33 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Řada

HEXFET

Gehäusegröße

I2PAK (TO-262)

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

44 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon

130 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

4.83mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

10.67mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

71 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

175 °C

Höhe

9.65mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.2V

Podrobnosti o výrobku

N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon

Řada Infineon diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® obsahuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech. A tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s uspořádáním desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 14,21

€ 1,421 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRF540NLPBF N-kanálový 33 A 100 V, I2PAK (TO-262), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 14,21

€ 1,421 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRF540NLPBF N-kanálový 33 A 100 V, I2PAK (TO-262), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

MnožstvoJednotková cenaBalík
10 - 90€ 1,421€ 14,21
100 - 240€ 1,35€ 13,50
250 - 490€ 1,292€ 12,92
500 - 990€ 1,237€ 12,37
1000+€ 1,15€ 11,50

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

33 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Řada

HEXFET

Gehäusegröße

I2PAK (TO-262)

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

44 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon

130 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

4.83mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

10.67mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

71 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

175 °C

Höhe

9.65mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.2V

Podrobnosti o výrobku

N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon

Řada Infineon diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® obsahuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech. A tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s uspořádáním desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more