Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonDauer-Kollektorstrom max.
41 A
Kollektor-Emitter-
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Gehäusegröße
TO-247AC
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Počet kolíků
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
15.9 x 5.3 x 20.3mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Podrobnosti o výrobku
Jeden IGBT s více než 21A, Infineon
Optimalizovaná měření IGBT určená pro aplikace se střední frekvencí s rychlou odezvou a poskytují uživateli nejvyšší dostupnou účinnost. Využití diod Fred optimalizovaných pro zajištění nejlepšího výkonu s IGBT
IGBT Transistors, International Rectifier
International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonDauer-Kollektorstrom max.
41 A
Kollektor-Emitter-
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Gehäusegröße
TO-247AC
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Počet kolíků
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
15.9 x 5.3 x 20.3mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Podrobnosti o výrobku
Jeden IGBT s více než 21A, Infineon
Optimalizovaná měření IGBT určená pro aplikace se střední frekvencí s rychlou odezvou a poskytují uživateli nejvyšší dostupnou účinnost. Využití diod Fred optimalizovaných pro zajištění nejlepšího výkonu s IGBT
IGBT Transistors, International Rectifier
International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.