Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
298 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
I2PAK (TO-262)
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,2 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
375 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.83mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
170 nC při 4,5 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
11.3mm
Řada
StrongIRFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
StrongIRFET™ s napájením tranzistoru MOSFET úrovně Logi-Level, Infineon
Rozšíření řady Infineon StrongIRFET optimalizované pro napájení +5 V s logickým pohonem. Mají stejné vlastnosti jako stávající řada StrongIRFET, například nízký typ R DS (on) pro vyšší efektivitu a vysokou kapacitu proudového přenosu pro lepší robustnost a provozní spolehlivost.
Optimální R DS (zapnuto) @ V GS = +4,5V.
Vhodné pro systémy napájené z baterie
Aplikace: Motorické ovladače, synchronní systémy usměrňovačů, vypínače střídavého proudu a záložní napájecí přepínače, měniče DC-DC
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
Štandardný
2
P.O.A.
Štandardný
2
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
298 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
I2PAK (TO-262)
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,2 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
375 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.83mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
170 nC při 4,5 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
11.3mm
Řada
StrongIRFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
StrongIRFET™ s napájením tranzistoru MOSFET úrovně Logi-Level, Infineon
Rozšíření řady Infineon StrongIRFET optimalizované pro napájení +5 V s logickým pohonem. Mají stejné vlastnosti jako stávající řada StrongIRFET, například nízký typ R DS (on) pro vyšší efektivitu a vysokou kapacitu proudového přenosu pro lepší robustnost a provozní spolehlivost.
Optimální R DS (zapnuto) @ V GS = +4,5V.
Vhodné pro systémy napájené z baterie
Aplikace: Motorické ovladače, synchronní systémy usměrňovačů, vypínače střídavého proudu a záložní napájecí přepínače, měniče DC-DC
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.