MOSFET BSH121,135 N-kanálový 300 mA 55 V, SOT-323 (SC-70), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
300 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
55 V
Gehäusegröße
SOT-323 (SC-70)
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
4 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
700 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Breite
1.35mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1 nC při 8 V
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Krajina pôvodu
Hong Kong
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 40 V až 55 V.
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
10000
P.O.A.
10000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
300 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
55 V
Gehäusegröße
SOT-323 (SC-70)
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
4 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
700 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Breite
1.35mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1 nC při 8 V
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Krajina pôvodu
Hong Kong
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 40 V až 55 V.
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products