MOSFET BSS84AKS,115 P-kanálový 160 mA 50 V, SOT-363, počet kolíků: 6 dvojitý Izolovaný Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
160 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
50 V
Gehäusegröße
SOT-363
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
7.5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Maximální ztrátový výkon
320 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,26 nC při 5 V
Breite
1.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Duální, S-kanálem MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 1,39
€ 0,046 Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Štandardný
30
€ 1,39
€ 0,046 Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Štandardný
30
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
160 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
50 V
Gehäusegröße
SOT-363
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
7.5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Maximální ztrátový výkon
320 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,26 nC při 5 V
Breite
1.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Duální, S-kanálem MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products