Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NXPTyp kanálu
P
Zbytkový proud drain-source Idss
1.5 to 20mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+30 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
30V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
300 Ω
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23 (TO-236AB)
Pinanzahl
3
Abmessungen
3 x 1.4 x 1mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3mm
Höhe
1mm
Breite
1.4mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-channel JFET, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NXPTyp kanálu
P
Zbytkový proud drain-source Idss
1.5 to 20mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+30 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
30V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
300 Ω
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23 (TO-236AB)
Pinanzahl
3
Abmessungen
3 x 1.4 x 1mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3mm
Höhe
1mm
Breite
1.4mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-channel JFET, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.