Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp tranzistoru
PNP
Dauer-Kollektorstrom max.
-1 A
Kollektor-Emitter-
30 V
Maximální bázové napětí emitoru
-10 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
30000
Maximální bázové napětí kolektoru
-40 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
-1 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
-100nA
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
5.2mm
Höhe
5.33mm
Breite
4.19mm
Abmessungen
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Maximální ztrátový výkon
625 mW
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory Darlington PNP, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
100
P.O.A.
100
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp tranzistoru
PNP
Dauer-Kollektorstrom max.
-1 A
Kollektor-Emitter-
30 V
Maximální bázové napětí emitoru
-10 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
30000
Maximální bázové napětí kolektoru
-40 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
-1 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
-100nA
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
5.2mm
Höhe
5.33mm
Breite
4.19mm
Abmessungen
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Maximální ztrátový výkon
625 mW
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory Darlington PNP, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.