Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
10 → 20mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
15 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-15V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
CPH
Pinanzahl
5
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
10pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
2.9pF
Abmessungen
2.9 x 1.6 x 0.9mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.9mm
Höhe
0.9mm
Breite
1.6mm
Podrobnosti o výrobku
Bipolární NPN & JFET Transistor, on Semiconductor
Kompaktní, prostorově úsporný kompozitní SMT balíček inkolorující jak bipolární tranzistor NPN, tak N-kanálový JFET. V některých zařízeních sdílejí emitor NPN a JFET společné spojení.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
10 → 20mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
15 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-15V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
CPH
Pinanzahl
5
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
10pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
2.9pF
Abmessungen
2.9 x 1.6 x 0.9mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.9mm
Höhe
0.9mm
Breite
1.6mm
Podrobnosti o výrobku
Bipolární NPN & JFET Transistor, on Semiconductor
Kompaktní, prostorově úsporný kompozitní SMT balíček inkolorující jak bipolární tranzistor NPN, tak N-kanálový JFET. V některých zařízeních sdílejí emitor NPN a JFET společné spojení.