Technické dokumenty
Špecifikácie
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Pinanzahl
2
Diodová technologie
Silikonový přechod
Typ diody
Silicon Junction
Diodová konfigurace
Single
Maximální stejnosměrný propustný proud
3A
Durchmesser
5.6mm
Špičkové závěrné napětí opakovaně
600V
Montage-Typ
Through Hole
Maximální pokles propustného napětí
1.7V
Doba obnovení špičkové závěrné hodnoty
75ns
Špičkový propustný nárazový proud při jednorázové špičce
125A
Gehäusegröße
DO-201AD
Brand
ON SemiconductorPodrobnosti o výrobku
Spojky s vnitřním závitem BSP
Norma: ISO 4414
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1250
P.O.A.
1250
Technické dokumenty
Špecifikácie
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Pinanzahl
2
Diodová technologie
Silikonový přechod
Typ diody
Silicon Junction
Diodová konfigurace
Single
Maximální stejnosměrný propustný proud
3A
Durchmesser
5.6mm
Špičkové závěrné napětí opakovaně
600V
Montage-Typ
Through Hole
Maximální pokles propustného napětí
1.7V
Doba obnovení špičkové závěrné hodnoty
75ns
Špičkový propustný nárazový proud při jednorázové špičce
125A
Gehäusegröße
DO-201AD
Brand
ON SemiconductorPodrobnosti o výrobku
Spojky s vnitřním závitem BSP
Norma: ISO 4414