řada: PowerTrenchMOSFET FDMS86201 N-kanálový 49 A 120 V, Power 56, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 166-2112Značka: ON SemiconductorČíslo dielu výrobcu: FDMS86201
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

49 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

120 V

Gehäusegröße

PQFN

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

21,5 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon

104 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

5.85mm

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

5mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

32 nC při 10 V

Höhe

1.05mm

Řada

PowerTrench

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Na semiši PowerTrench® MOFETS jsou optimalizovány výkonové přepínače, které nabízejí vyšší efektivitu systému a vyšší hustotu energie. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny, malé obnovení zpětného chodu a měkkou diodou pro zpětné zotavení, které přispívají k rychlému přepínání synchronní korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.
Výkon diody s měkkým tělem MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat obvod s šňupavým klipem nebo nahradit tranzistor MOSFET s vyšším napětím.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

řada: PowerTrenchMOSFET FDMS86201 N-kanálový 49 A 120 V, Power 56, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

P.O.A.

řada: PowerTrenchMOSFET FDMS86201 N-kanálový 49 A 120 V, Power 56, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

49 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

120 V

Gehäusegröße

PQFN

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

21,5 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon

104 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

5.85mm

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

5mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

32 nC při 10 V

Höhe

1.05mm

Řada

PowerTrench

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Na semiši PowerTrench® MOFETS jsou optimalizovány výkonové přepínače, které nabízejí vyšší efektivitu systému a vyšší hustotu energie. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny, malé obnovení zpětného chodu a měkkou diodou pro zpětné zotavení, které přispívají k rychlému přepínání synchronní korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.
Výkon diody s měkkým tělem MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat obvod s šňupavým klipem nebo nahradit tranzistor MOSFET s vyšším napětím.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more