Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorGehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
2 + Tab
Maximální ztrátový výkon
98 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Breite
4.8mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Materiál tranzistoru
SiC
Länge
10.67mm
Höhe
16.51mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
2.4V
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
Štandardný
5
P.O.A.
Štandardný
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorGehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
2 + Tab
Maximální ztrátový výkon
98 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Breite
4.8mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Materiál tranzistoru
SiC
Länge
10.67mm
Höhe
16.51mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
2.4V