Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorGehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
2 + Tab
Maximální ztrátový výkon
111 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Breite
4.8mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Materiál tranzistoru
SiC
Länge
10.67mm
Höhe
16.51mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
2.4V
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
2
P.O.A.
2
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorGehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
2 + Tab
Maximální ztrátový výkon
111 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Breite
4.8mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Materiál tranzistoru
SiC
Länge
10.67mm
Höhe
16.51mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
2.4V