Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
40 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3 + Tab
Maximální odpor kolektor/zdroj
82 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
313 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±30 V
Breite
4.7mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
81 nC při 10 V
Höhe
16.3mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.3V
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
2
P.O.A.
2
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
40 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3 + Tab
Maximální odpor kolektor/zdroj
82 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
313 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±30 V
Breite
4.7mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
81 nC při 10 V
Höhe
16.3mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.3V