Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
2 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
500
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
2.5 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
2mA
Maximální ztrátový výkon
50 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.28mm
Höhe
15.75mm
Breite
4.82mm
Abmessungen
10.28 x 4.82 x 15.75mm
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
Výrobné balenie (Tuba)
10
P.O.A.
Výrobné balenie (Tuba)
10
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
2 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
500
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
2.5 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
2mA
Maximální ztrátový výkon
50 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.28mm
Höhe
15.75mm
Breite
4.82mm
Abmessungen
10.28 x 4.82 x 15.75mm
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.