Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
200 mA
Kollektor-Emitter-
40 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
625 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Počet kolíků
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Abmessungen
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
0.3 V
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory NPN s malým signálem, 40 až 50 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,222
Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
50
€ 0,222
Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
50
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
50 - 2450 | € 0,222 | € 11,08 |
2500+ | € 0,16 | € 7,98 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
200 mA
Kollektor-Emitter-
40 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
625 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Počet kolíků
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Abmessungen
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
0.3 V
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory NPN s malým signálem, 40 až 50 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.