Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-100 mA
Kollektor-Emitter-
-45 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
-50 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Maximální provozní frekvence
150 MHz
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
-0.65 V
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory PNP s malým signálem, 40 až 50 V Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,08
Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Výrobné balenie (Páska)
100
€ 0,08
Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Výrobné balenie (Páska)
100
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-100 mA
Kollektor-Emitter-
-45 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
-50 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Maximální provozní frekvence
150 MHz
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
-0.65 V
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory PNP s malým signálem, 40 až 50 V Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.