Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
10 A
Kollektor-Emitter-
400 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
75 W
Minimální proudový zisk DC
22
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
700 V dc
Maximální bázové napětí emitoru
12 V dc
Maximální provozní frekvence
1 MHz
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Krajina pôvodu
China
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,60
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 1,60
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
50 - 50 | € 1,60 | € 80,00 |
100 - 200 | € 1,19 | € 59,50 |
250 - 450 | € 1,18 | € 59,00 |
500 - 950 | € 1,01 | € 50,50 |
1000+ | € 1,01 | € 50,50 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
10 A
Kollektor-Emitter-
400 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
75 W
Minimální proudový zisk DC
22
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
700 V dc
Maximální bázové napětí emitoru
12 V dc
Maximální provozní frekvence
1 MHz
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Krajina pôvodu
China