Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
35 V
Gehäusegröße
CPH
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
208 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.6V
Maximální ztrátový výkon
1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Länge
2.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
4 nC při 10 V
Breite
1.6mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Höhe
0.9mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 35 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
35 V
Gehäusegröße
CPH
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
208 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.6V
Maximální ztrátový výkon
1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Länge
2.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
4 nC při 10 V
Breite
1.6mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Höhe
0.9mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku