Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
75 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
43 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
592 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Materiál tranzistoru
Si
Länge
15.87mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
163 nC při 10 V
Breite
4.82mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Höhe
20.82mm
Řada
SuperFET II
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
SuperFET® a SuperFET® II N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild přidal řadu výkonových tranzistorů MOSFET SuperFET® II s vysokým napětím pomocí technologie Super Junction. Poskytuje nejlepší výkon robustní diody ve své třídě v aplikacích napájení SMPS (AC-DC Switch Mode), jako jsou servery, telekomunikace, počítače, průmyslové napájecí zdroje, UPS/ESS, solární převodník, osvětlovací aplikace, které vyžadují vysoký výkon, účinnost a spolehlivost systému.
Díky Advanced Charge bilance technologii dosahují návrháři efektivnějších, cenově výhodnějších a vysoce výkonných řešení, která zabírají méně místa na palubě a zlepšují spolehlivost.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
30
P.O.A.
30
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
75 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
43 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
592 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Materiál tranzistoru
Si
Länge
15.87mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
163 nC při 10 V
Breite
4.82mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Höhe
20.82mm
Řada
SuperFET II
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
SuperFET® a SuperFET® II N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild přidal řadu výkonových tranzistorů MOSFET SuperFET® II s vysokým napětím pomocí technologie Super Junction. Poskytuje nejlepší výkon robustní diody ve své třídě v aplikacích napájení SMPS (AC-DC Switch Mode), jako jsou servery, telekomunikace, počítače, průmyslové napájecí zdroje, UPS/ESS, solární převodník, osvětlovací aplikace, které vyžadují vysoký výkon, účinnost a spolehlivost systému.
Díky Advanced Charge bilance technologii dosahují návrháři efektivnějších, cenově výhodnějších a vysoce výkonných řešení, která zabírají méně místa na palubě a zlepšují spolehlivost.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.