Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
10 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Gehäusegröße
IPAK
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
360 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
83 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±30 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.8mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
18 nC při 10 V
Breite
2.5mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
6.3mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
75
P.O.A.
75
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
10 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Gehäusegröße
IPAK
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
360 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
83 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±30 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.8mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
18 nC při 10 V
Breite
2.5mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
6.3mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China